실리콘카바이드(SiC)·갈륨나이트라이드(GaN) 공정 소개
(서울=연합뉴스) 한지은 기자 = DB하이텍은 오는 5월 6∼8일(현지시간) 독일 뉘른베르크에서 열리는 유럽 최대 전력 반도체 전시회 'PCIM 2025'에 참가한다고 7일 밝혔다.
전시에서는 미래 성장 동력으로 삼은 실리콘카바이드(SiC)·갈륨나이트라이드(GaN) 전력반도체 공정을 주축으로 소개할 예정이다.
DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼 기본 특성을 확보했으며, 수율 및 신뢰성 향상을 거쳐 올해 말 고객사에 공정을 제공할 계획이다.
GaN 8인치 공정은 650V 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 특성을 확보하고 올해 내로 신뢰성 확보를 마칠 예정이다.
반도체·전자 분야 시장조사전문기관 욜 디벨롭먼트에 따르면 글로벌 SiC·GaN 전력반도체 시장 규모는 2024년 36억달러에서 2027년 76억달러까지 연평균 27.6%의 성장률을 보일 전망이다.
DB하이텍 관계자는 "팹리스 고객 지원과 협업에서 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받는 DB하이텍의 강점을 유럽 고객들에게도 알리는 기회가 될 것"이라고 말했다.
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